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场效应管由于具有输入阻抗非常高(可达l09~lO15Ω)、噪声低、动态变化范围大和温度系数小,且为电压控制元件等优点,因此应用也较为广泛。场效应管分结型和绝缘栅(即MOS)型两大类。
www.kiaic.com/article/detail/496.html 2018-03-22
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MOS管种类MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制构成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但理论应用的只需增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是这两种。场效应管分为结型场效应管(JFET)
www.kiaic.com/article/detail/513.html 2018-03-22
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阐述利用MOS管搭建的低成本方案,实现电平的双向转换
www.kiaic.com/article/detail/514.html 2018-03-22
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增强型NMOS管的工作原理当NMOS管的栅极与源极短接(即NMOS管的栅/源电压VGS=O)时,源区(N+型)、衬底(P型)和漏区(N+型)形成两个背靠背的PN结,不管NMOS管的漏/源电压VDS的极性如何,其中总有一个PN结是反偏的,所以NMOS管源极与漏极之间的电阻
www.kiaic.com/article/detail/515.html 2018-03-22
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在完结地图规划并经工艺厂家流片后,能够选用两种办法对芯片进行功能、功能测验:一种办法是直接键合到PCB(印制电路板)上,另一种办法是经过封装厂家进行封装后,再焊接至体系中。而封装办法又可分为软封装与硬封装,软封装首要依据运用要求直接制作成模块,...
www.kiaic.com/article/detail/516.html 2018-03-22
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由于功率MOSFET热稳定性好,故比双极型晶体管并联连接简单。可是并联连接MOSFET用于高速开关则末必简单,从现象看并联连接会发生以下两个问题:1) 电流会集中某一个器件中。2 ) 寄生振荡。
www.kiaic.com/article/detail/519.html 2018-03-22
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MOS管导通电阻小,可以降低导通时的功耗。但无论什么元件器件,追求某项指标必会影响其它指标。以MOS管来说,高耐压与低电阻是矛盾的,不可兼得,所以不能说导通电阻越小越好,因为这是牺牲其它性能获得的。但是一般mos管额定电流越大,额定导通电阻也就越小。
www.kiaic.com/article/detail/522.html 2018-03-22
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深圳KIA可易亚电子,专注于功率半导体开发得基础,在2007年KIA在韩国浦项工科大学内拥有了专业合作设计研发团队得8英寸VD-MOS晶圆厂。我司KIA率先成功研最新型MOSFET系列产品,可以提供样品,以及有多种封装SOT-89 TO-92、262、263、251、220F等。
www.kiaic.com/article/detail/523.html 2018-03-22
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充电器的正确使用,不仅影响到充电器自身的可靠性和使用寿命,而且还会影响到电池的寿命。使用充电器对蓄电池充电时,请先插上充电器的输出插头,后插输入插头。充电时,充电器的电源指示灯显示红色,充电指示灯也显示为红色。充满后,充电指示灯为绿色。停止充...
www.kiaic.com/article/detail/524.html 2018-03-22
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动力电池保护板,它是用来保护电池保护损坏与延伸电池的运用寿数。并且它只在电池出现极点问题的情况下作出最稳定最有用的保护防止出现意外。
www.kiaic.com/article/detail/525.html 2018-03-22
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锂离子电池的正极材料是氧化钴锂,负极是碳。锂离子电池的工作原理就是指其充放电原理。当对电池进行充电时,电池的正极上有锂离子生成,生成的锂离子经过电解液运动到负极而作为负极的碳呈层状结构,它有很多微孔,到达负极的锂离子就嵌入到碳层的微孔中,嵌入...
www.kiaic.com/article/detail/526.html 2018-03-22
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电机是靠MOS的输出电流来驱动的,输出电流越大(为了防止过流烧坏MOS管,控制器有限流保护),电机扭矩就强,加速就有力。
www.kiaic.com/article/detail/527.html 2018-03-22
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主要用于:报警器、开关电源、安定器、控制器、电表、电动工具、充电桩、无人机、保护板、电动自行车等等。mos管,它属于电压控制型半导体器件,具有输入电阻高(108~109Ω)、噪声小、功耗低、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管...
www.kiaic.com/article/detail/528.html 2018-03-22
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n沟道加强型MOS管必需在栅极上施加正向偏压,且只要栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压(栅源电压为零)时,就有导电沟道产生的n沟道MOS管。
www.kiaic.com/article/detail/529.html 2018-03-22